DC parametre
Saturation Drain Current (IDSS): Defineret som drænstrømmen, når gate-kildespændingen er nul, men drain-kildespændingen er større end pinch-off-spændingen.
Pinch-off Voltage (UP): Defineret som den UGS, der kræves for at reducere ID til en meget lille strøm, når UDS er konstant.
Take-off Voltage (UT): Defineret som den UGS, der kræves for at bringe ID til en bestemt værdi, når UDS er konstant.
AC parametre
AC-parametre kan opdeles i to kategorier: udgangsmodstand og lav-frekvenstranskonduktans. Outputmodstanden er typisk mellem titusindvis og hundredvis af kilohm, mens lav-transkonduktans generelt er i området fra nogle få tiendedele til nogle få millisievert, hvor nogle når 100 ms eller endnu højere.
Lav-transkonduktans (gm): Beskriver styreeffekten af gate-kildespændingen på drænstrømmen.
Inter-elektrodekapacitans: Kapacitansen mellem de tre elektroder på en MOSFET. En mindre værdi indikerer bedre transistorydelse.
Begrænsende parametre
① Maksimal drænstrøm: Den øvre grænse for den tilladte drænstrøm under normal drift af transistoren.
② Maksimal effekttab: Effekten i transistoren, begrænset af transistorens maksimale driftstemperatur.
③ Maksimal dræn-kildespænding: Den spænding, ved hvilken lavinesammenbrud opstår, når drænstrømmen begynder at stige kraftigt.
④ Maksimal gate-kildespænding: Den spænding, hvor den omvendte strøm mellem gate og kilde begynder at stige kraftigt.
Ud over ovenstående parametre er der andre parametre såsom inter-elektrodekapacitans og høj-frekvensparametre.
Dræn- og kildenedbrudsspænding: Når drænstrømmen stiger kraftigt, opstår UDS (Upper Demand) under lavinesammenbrud.
Gate-gennembrudsspænding: Under normal drift af en forbindelsesfelt-effekttransistor (JFET), er PN-forbindelsen mellem porten og kilden omvendt-forspændt. Hvis strømmen er for høj, vil der ske nedbrud.
De vigtigste parametre at fokusere på under brug er:
1. IDSS-Mætningsdræn-kildestrøm. Dette refererer til dræn-kildestrømmen i et kryds eller udtømning-isoleret-gatefelt-effekttransistor, når gatespændingen UGS=0.
2. UP-Pinch-off voltage. 3. **UT-Take-on Voltage:** Gatespændingen, ved hvilken drain-kildekrydset netop er slået fra i et kryds-type eller udtømning-type-isoleret2.Effekt{1}Fæld{1}Fæld{1}F.
4. gM-Transkonduktans: Repræsenterer styreevnen af gate-kildespændingen UGS over drænstrøm-ID'et, dvs. forholdet mellem ændringen i drænstrøm-ID og ændringen i gate-kildespænding UGS. gM er en vigtig parameter til måling af amplifikationsevnen af en IGFET.
5. BUDS-Drain-Source Breakdown Voltage: Den maksimale drain-kildespænding, som IGFET'en kan modstå under normal drift, når gate-kildespændingen UGS er konstant. Dette er en begrænsende parameter; driftsspændingen på IGFET'en skal være mindre end BUDS.
6.PDSM-Maksimal effekttab: Også en begrænsende parameter refererer til den maksimalt tilladte dræne-kildestrømtab uden at forringe IGFET'ens ydeevne. I brug bør det faktiske strømforbrug for IGFET være mindre end PDSM med en vis margin. 7. **IDSM-Maksimal dræn-Kildestrøm:** IDSM er en begrænsende parameter, der refererer til den maksimale strøm, der må passere mellem afløbet og kilden for en felt-effekttransistor (FET) under normal drift. FET'ens driftsstrøm bør ikke overstige IDSM.
